Siemens IGBT cartão de energia 6SL39120AM360AA0

Siemens IGBT cartão de energia 6SL39120AM360AA0

Acessórios do conversor de frequência GM150 GL150

Beijing Jingchenghongtai Technology Co., Ltd. vende módulos IGBT Infineon; módulos de silício controláveis; Módulo de ponte de correção; módulos de diodos; Tiristores; Silício controlado, capacitor, fonte de energia, ventilador, sensor, módulo IPM; módulos de potência semicondutores; Acessórios do conversor de frequência, placa de transmissão, placa de controle, placa CUVC

GM150 Siemens IGBT cartão de energia 6SL39120AM360AA0

6SL3912-5AP36-0AA0 (6SL39125AP360AA0)

Um par de IGBT-POWERCARDS FZ1200; Refrigerado por água para a sinâmica GM150/SM150 (IGBT) 4.16KV MAX 800A

Tecnologia Empodera Indústria Controle Preciso de Energia - Placa de Energia IGBT Siemens 6SL3912-5AP36-0AA0

Vantagens principais

• Processo de precisão alemãoAdotando o módulo IGBT original da Siemens para garantir a precisão de reconhecimento do portão (G) através da detecção de resistência de classe R × 1KQ, a taxa de falha é inferior a 30% do padrão da indústria

• Adaptação de múltiplas cenasSuporta o sistema de conversor de frequência de média tensão SINAMICS GM150/SM150 (3.3-4.16kV), com design refrigerado a ar para atender às necessidades de operação contínua da indústria pesada

• Estabilidade a longo prazoConforme às normas ambientais da Diretiva RoHS, a estrutura compacta de 20 kg permite um registro de operação ininterrupta de 20.000 horas

Casos de aplicação
Quando uma empresa de automação adota esse modelo:
• Redução do consumo de energia em 18%
• Ciclo de manutenção do equipamento prolongado para 2,5 vezes
• Compatível com módulos da série 6SL3912-0AP36-0AA0 para expansão flexível

Garantia de Serviço

• Fornecimento em Pequim (MOQ 1 peça)

• Orientação técnica para testes multimétricos e resposta de emergência de 72 horas

• Substituição gratuita durante 3 anos de garantia

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6SL3912-0AM35-3AA0 (em inglês)
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6SY8102-0LC01 (em inglês)
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Parâmetros do produto:

IHM B 1700 V 2400A Módulo IGBT de interruptor único de 190 mm com IGBT de terminação de campo/gancho de quarta geração,

O IHV B 3300 V1000 A 130 mm interruptor únicoMódulo IGBTTerceira geração TRENCHSTOP ™ IGBT、 Baixa perda de interruptor e diodos de controle de pólo de emissão - soluções para aplicações de tração e industriais

Modelo do módulo IGBT 3300V:

FZ1000R33HL3_S2 (em inglês)
FZ1500R33HL3_S2 (em inglês)
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
Módulo IGBT FZ1000R33HL3
Módulo IGBT FZ1000R33HE3
Módulo IGBT FZ1200R33HE3
Módulo IGBT FZ1500R33HE3
Módulo IGBT FZ1500R33HL3
Módulo IGBT FZ1600R33HE4
Módulo IGBT FZ1400R33HE4
Módulo IGBT FZ2400R33HE4
Módulo IGBT FF450R33T3E3
Módulo IGBT FZ825R33HE4D

Características Descrição

Especificações do produto:

Tipo IGBT: corte de campo tipo ranhura

Configuração: Meia Ponte

Tensão - ruptura do pólo colectivo: 1700 V

Corrente - Eletrodo de coleta (Ic): 2400 A

Corrente - corte do eletrodo de coleta: 100 µA

Capacidade de entrada (Cies) em diferentes Vce: 122 nF @ 25 V

Entrada: padrão

Termistor NTC: Nenhum

Temperatura de funcionamento: -40 ° C ~ 175 ° C (TJ)

Tipo de instalação: Base

Embalagem / Caixa: Módulos

Pacote de equipamento do fornecedor: AG-62MM

Características do produto:

Alta densidade de potência

VCE, SAT

Tvj op = 175°C Sobrecarga

Alta distância de rastreamento e espaço elétrico

Conforme ao padrão RoHS

4 kV AC 1 minuto de isolamento

Embalagem para CTI > 400

Certificação UL/CSA com UL1557 E83336

TRENCHSTOP ™ Chips IGBT7

Melhorado EconoDUAL ™ 3 embalagem

225, 750 e 900 A，1700V Módulo de Meia Ponte

Os diodos, 750 A IGBT com 1200 A Diodo (somente FF750R17ME7D_B11）

Temperatura de ligação de funcionamento em sobrecarga até 175° C

Pinos de controle de pressão

Módulo IGBT 6SL39125AP360AA0

Vantagens:

Embalagem existente com alta capacidade de corrente que permite aumentar a potência de saída do inversor no mesmo tamanho de quadro

Alta densidade de potência

Evite a paralelização de módulos IGBT

Reduza os custos do sistema simplificando o sistema do inversor

Flexibilidade

Alta confiabilidade

Áreas de aplicação do produto:

Alimentação ininterrupta (UPS)

Sistema de armazenamento de energia

Controle e accionamento do motor

Veículos comerciais, de construção e agrícolas (CAV)

inversor de frequência

Beijing Zhenghongtai Technology Co., Ltd. é um fornecedor de cadeia industrial de vendas de semicondutores de eletrônica de potência e soluções para a indústria de eletrônica de potência que combinam canais, distribuição, distribuição, venda direta e modelos OEM.

Venda de semicondutores eletrônicos de potência de marca nacional e estrangeira, conversores de frequência, acessórios de conversores de frequência, capacitores eletrólitos de alumínio e módulos de potência; Principais distribuidores alemães: Infineon, EUPEC,

SIEMENS Siemens, Siemens Semikron, IXYS Essex, AEG, Vishay, Danfoss Danfoss, TYCO Techo, DYNEX Dennix, Vacon Viaken, Mitsubishi Mitsubishi,

Fuji, Fairchild, Toshiba Toshiba, Hitachi Hitachi, SanRex, Sanken Sanken, POWEREX, Inda NIEC, IR EUA, ABB Suíça, POWERSEM, NELL Neil; Yaskawa Yangawa;

IGBT, IGCT, IPM, PIM, tiristor de silício controlado, GTO, GTR Darlington, ponte rectificadora, diodos, módulos de efeito de campo produzidos por empresas como a Siema do Reino Unido e a CATELEC da Espanha; Fuji (Japão),

Sunrise (HINODE), França Roland (FERRAZ), Reino Unido GOULD, EUA BUSSMANN fusíveis rápidos; KEMET， Itália Arcotronics (AV),

Itelcond, Itália FACON, Alemanha IKEIKI ELECTRONICON, França Thomson TPC, Japão Hitachi, Black Diamond NIPPON chemi-con, NICHICON NICHICON;

Ruby, Epcos Epcos, Rifa Suécia, BHC Reino Unido, BHC Aerovox capacitor eletrólito e CDE US capacitor insensitivo; Swiss CONCEPT Driver IGBT, acoplamento óptico, placa-mãe de conversor de frequência, placa de transmissão, placa de alimentação, placa de comunicação, placa de interface

Painel de operação

Módulo IGBT 6SL39125AP360AA0

O que é IGBT?

O IGBT é um transistor bipolar de porta isolante, composto por BJT (triodo bipolar) e MOS (tubo de efeito de campo de porta isolante), um dispositivo de semicondutor de potência accionado por tensão totalmente controlado, com as vantagens de alta impedância de entrada do MOSFET e baixa redução de tensão de condução do GTR. A pressão de saturação do GTR é baixa, a densidade da corrente de carregamento é grande, mas a corrente de acionamento é maior; A potência de acionamento do MOSFET é pequena e a velocidade de comutação é rápida, mas a pressão de condução diminui e a densidade de fluxo de carga é pequena. O IGBT combina os benefícios dos dois dispositivos acima para impulsionar uma potência pequena e uma pressão de saturação reduzida. Ideal para aplicações em sistemas de variação de corrente com tensão de corrente contínua de 600V ou superior, tais como motores de corrente alterna, conversores de frequência, fontes de alimentação de comutação, circuitos de iluminação, transmissão de tração e outras áreas.

Comparação entre IGBT e MOSFET

MOSFET é o nome completo de transistor de efeito de campo de potência. Seus três pólos são o pólo fonte (S), o pólo de fuga (D) e o portão (G).

VantagensBoa estabilidade térmica e grande área de trabalho segura.

Desvantagens: baixa tensão de ruptura e pequena corrente de trabalho.Beijing Cheng Hongtai Technology Co., Ltd. Siemens IGBT cartão de energia 6SL39120AM360AA0

O IGBT é o nome completo de transistor bipolar isolante e é o produto da combinação de MOSFET e GTR (transistor de potência). Seus três pólos são o eletrodo colector (C), o pólo emissor (E) e o portão (G).

Características: A tensão de ruptura pode chegar a 1200V, a corrente saturada do eletrodo de coleta tem ultrapassado 1500A. A capacidade do conversor de frequência do IGBT como dispositivo inversor é superior a 250kVA e a frequência de trabalho pode chegar a 20kHz.

Aplicações típicas do IGBT

Motor elétrico

Alimentação ininterrupta

Instalação de painéis solares

Máquina de solda elétrica

Convertidores de energia e inversores de fase

Carregador indutivo

placa de indução